ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
新的散热增强型MOV可说明保护很多低功率系统免受由过流、过温和过压故障造成的损坏，包括雷击、静电放电(ESD)浪涌、中性丢失、错误的输入电压和电源感应。这些器件有助于为交流电源LED照明系统提供保护
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静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
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JESD204B串行数据链路接口针对支持更高速转换器不断增长的带宽需求而开发。作为第三代标准，它提供更高的通道速率最大值(每通道高达12.5 Gbps)，支持确定延迟和谐波帧时钟。
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这篇文章简要地探讨了手机音频系统中ESD及EMI的起因及结果。接着研讨了ESD干扰抑制器和EMI滤波器的使用，以避免这些威胁。最后，比较了当前三种解决方案。
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產品特色 • 3V~12V 寬廣電源設計，電源取電容易 單輸出通道，可並聯組合使用。 • 方便驅動大、中、小功率LED。 • 支援超高速 1MHz PWM 調光。 • 總電流高達1.2A (通道跨壓僅需0.6V) • 超高8KV輸出通道ESD耐受度，不僅I/V特性不變，且功能仍維持正常。
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随着手机的发展，越来越多的新技术和解决方案应运而生，在新技术出来的同时，也会伴随着EMC的问题，这块我们今天主要是针对一些新的端口，我们在设计过程中的问题和后续中的解决方案。
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近年来，850奈米(nm)垂直腔表面发射雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,
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肖特基势垒整流器一般用在单晶硅和多晶硅光伏（PV）电池板的旁路二极管中，在热点出现低分流阻抗和高分流阻抗的情况下保护光伏电池（参见文档中图1）。在旁路应用中，肖特基整流器具有低正向压降的优点，而且比普通P-N结整流器的功率耗散更小。然而，这种器件的缺点是反向电压击穿特性较低，很容易因ESD（静电放电）的电过应力（EOS）和感应的高电压而损坏..
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随着LED应用环境的多元复杂化，LED下游商对上游晶粒品质的要求日趋严苛，如LED耐静电测试（Electrostatic Discharge，ESD）的电压值就从原本4kV要求，逐渐提高到8kV，以容忍户外的恶劣环境。所以高压LED耐静电测试为目前LED晶粒点测机中，急待开发的关键模组。
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在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。
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对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干部(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高速度的连接能力。
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